以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速度及抗强辐射能力等优良机能，在光电子和微电子范畴具有主要的利用价值，适于建造高温、高频、抗辐射及年夜功率电子器件。
据科技部网站动静，“十二五”时代，863打算重点撑持了“第三代半导体器件制备及评价手艺”项目。近日，科技部高新司在北京组织召开项目验收会，项目重点环绕第三代半导体手艺中的要害材料、要害器件和要害工艺进行研究，开辟出基于新型基板的第三代半导体器件封装手艺，知足对应高机能封装和低本钱消费级封装的需求，研制出高带宽GaN发光器件及基于发光器件的可见光通讯手艺，并实现智能家居演示系统的试制；展开第三代半导体封装和系统靠得住性研究，构成相干尺度或手艺规范；制备出高机能SiC基GaN器件。经由过程项目标实行，我国在第三代半导体要害的SiC和GaN材料、功率器件、高机能封装和可见光通信等范畴获得冲破，自立成长出相干材料与器件的要害手艺，有助于支持我国在节能减排、现代信息工程、现代国防扶植上的重2A12铝板年夜需求。
“十三五”时代，为进一步鞭策我国材料范畴科技立异和财产化成长，科技部制订了《“十三五”材料范畴科技立异专项计划》，将“计谋进步前辈电子材料”列为成长重点之一，以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为焦点，以年夜功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点，鞭策跨界手艺整合，抢占进步前辈电子材料手艺的制高点。